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DDR5 SODIMM记忆体，相较DDR4，无论是在速度、容量、还是可靠性均有显著提升，拥5600MT/s超高频率，比DDR4标准频率上限3200MT/s提升了75%，拥更快的传输速度与更高的频宽，提供多核心CPU更快速的响应速度。
1.1V超低工作电压，降低单位频宽功耗，节能省电；另配置电源管理晶片(PMIC-Power Management IC) ，将电源管理从主机板移至记忆体上，有效控制系统的电源负载，提供更稳定的电源供应，并提高记忆体的可靠度和性能。
DDR5 SODIMM采用8个Bank群组组合而成的32 Bank架构，比DDR4由4个Bank群组组成的16 Bank架构，多出1倍的存取可用性；简言之，DDR5的每颗IC能存取的数据为DDR4的两倍；且不同于DDR4在更新时无法执行其他操作，DDR5透过Same Bank Refresh功能，让系统可以在更新某些Bank的时候，存取其他Bank的资料，可拥更多的储存空间，使电脑同时多工运作，顺畅不卡卡。 * Bank意指DRAM颗粒可单独运作的储存单元。
DDR5 SODIMM的Burst Length(DRAM单个读写指令可存取的资料量)从DDR4的8增加到16，为DDR4的两倍，是增加效能的关键，这数字决定单一读写指令可存取的资料量。
DDR5 SODIMM将On-die ECC纠错功能直接加入颗粒晶片中，无须透过CPU进行修正，能自行计算并修正记忆体颗粒内部资料存取时产生的错误，为系统提供更稳定可靠的运作表现，确保资料精准传输。
DDR5 SODIMM的双通道结构让单次资料存取宽度变成32位元，拥2组独立定址的32-Bit子通道。也就是说，DDR5可一次填充处理器的64 Byte快取记忆体区块，是DDR4两倍，使电脑多核心应用可有更高的记忆体频宽，传输更多资料，效率大幅提升。
| Memory Modules & Configuration | 容量 | 料号 | |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 16GB | SP016GBSVU560F02 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 32GB | SP032GBSVU560F02 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 48GB | SP048GBSVU560P02 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 16GB x 2 | SP032GBSVU560F22 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 32GB x 2 | SP064GBSVU560F22 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 24GB x 2 | SP048GBSVU560P22 |
| 5600MT/s |
CL46, 1.1V | 48GB x 2 | SP096GBSVU560P22 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 16GB | SP016GBSVU520F02 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 24GB | SP024GBSVU520P02 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 32GB | SP032GBSVU520F02 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 48GB | SP048GBSVU520P02 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 16GB x 2 | SP032GBSVU520F22 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 32GB x 2 | SP064GBSVU520F22 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 24GB x 2 | SP048GBSVU520P22 |
| 5200MT/s |
CL42, 1.1V | 48GB x 2 | SP096GBSVU520P22 |
| 4800MT/s |
CL40, 1.1V | 8GB | SP008GBSVU480G02 |
| 4800MT/s |
CL40, 1.1V | 16GB | SP016GBSVU480F02 |
| 4800MT/s |
CL40, 1.1V | 32GB | SP032GBSVU480F02 |
| 4800MT/s |
CL40, 1.1V | 8GB x 2 | SP016GBSVU480G22 |
| 4800MT/s |
CL40, 1.1V | 16GB x 2 | SP032GBSVU480F22 |
| 4800MT/s |
CL40, 1.1V | 32GB x 2 | SP064GBSVU480F22 |
