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メモリ
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B
Buffered Memory
バッファードメモリバッファメモリは、電気負荷を管理し、各チャネルにより多くのモジュールとより高い容量を許可し、メモリコントローラの負担を軽減する集積回路を持つランダムアクセスメモリの一種です。
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X
XMP
エクストリームメモリプロファイルXMP(eXtreme Memory Profile、エクストリームメモリプロファイル)は、インテルの技術で、メモリモジュールを標準速度を超えて自動的にオーバークロックし、手動で調整することなくシステムパフォーマンスを向上させます。
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U
Unbuffered Memory
バッファなしメモリ無緩衝メモリは、バッファーチップを介さずにメモリコントローラーと直接通信するRAMであり、低遅延を提供しますが、高容量構成では安定性が低くなります。
UDIMM
アンバッファードDIMMマザーボードに直接接続されるコンピュータメモリモジュールで、追加のバッファがなく、バッファ付きの代替品と比較してより高速な性能を提供しますが、容量は限られています。
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J
JEDEC
固体技術協会JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)は、マイクロエレクトロニクス産業のためにオープンスタンダードを策定する標準化団体であり、主にメモリ技術と関連部品に焦点を当てています。
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R
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M
Memory timings
メモリのタイミングランダムアクセスメモリがさまざまな操作(読み取り、書き込み、データのリフレッシュなど)を実行する速度を定義する特定の時間間隔。これらのタイミングは全体的なメモリ性能とシステムの応答速度に影響を与えます。
MT/s
メガトランスファー毎秒MT/sは(メガトランスファー毎秒,Megatransfers per second)を表します。これはメモリモジュールのデータ転送率を測定し、1秒間に何百万回のデータ転送が行えるかを示します。
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S
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O
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H
Heat Spreader/Heatsink
ヒートスプレッダー/ヒートシンク電子部品に取り付けられる金属部品の一種で、熱を放散し、性能を向上させ、熱損傷を防ぐために使用されます。これは、敏感なコンポーネントから熱を取り除き、最適な動作温度を維持します。
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D
DRAM
動的ランダムアクセスメモリDRAM(ダイナミックランダムアクセスメモリ)は揮発性メモリの一種で、コンデンサを通じてデータを保存し、情報を維持するために継続的にリフレッシュする必要があります。そのコスト効果と速度から、コンピュータの主メモリとして広く使用されています。
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C
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E
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ソリッドステートドライブ(SSD)
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W
Wear Leveling
ウェアレベリング技術SSDに使用される技術で、すべてのメモリセルに書き込み操作を均等に分配し、頻繁に使用されるセルの早期劣化を防ぐことで、ハードディスクの寿命を延ばします。
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T
TBW
総書き込み容量TBWは、ソリッドステートドライブがその使用寿命内に書き込むことができる総データ量を、テラバイトで計算したものです。これは、ソリッドステートドライブの耐久性と寿命を測る重要な指標です。
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S
SSD Controller
SSDコントローラーSSDコントローラーは、コンピュータとNANDフラッシュメモリ間のデータフローを管理し、SSDのパフォーマンス、ウェアレベリング技術、エラー訂正を最適化するマイクロチップの一種です。
SLC/MLC/TLC/QLC
単層セル/多層セル/三層セル/四層セルSLC(シングルレベルセル)、MLC(マルチレベルセル)、TLC(トリプルレベルセル)、QLC(クアッドレベルセル)は、NANDフラッシュメモリにおいて各ストレージセルが保存できるビット数を指し、それぞれ1ビットから4ビットまでの範囲です。
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P
PCIe Gen5/Gen4/Gen3
ペリフェラル相互接続 Gen5/Gen4/Gen3PCIe(周辺機器相互接続)Gen5/Gen4/Gen3は、連続した数世代の高速シリアルコンピュータ拡張バス標準であり、各世代は前世代の帯域幅を倍増させ、デバイス間のデータ転送をより高速に実現します。
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N
NVMe
不揮発性メモリの高速アクセス固体硬 drives 用に設計された高性能プロトコルは、従来のストレージインターフェースであるSATAと比較して、より高速なデータ転送速度と低遅延を実現します。
NAND Flash
フラッシュメモリNANDフラッシュメモリは、電源なしでデータを保持できる不揮発性ストレージ技術であり、フローティングゲートトランジスタを使用してメモリセルアレイに情報を保存します。
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M
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I
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H
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D
DRAMless
DRAMキャッシュレス設計無 DRAM キャッシュ設計とは、動的ランダムアクセスメモリキャッシュを使用せず、NAND フラッシュメモリとコントローラーのみを使用してデータを管理するソリッドステートドライブを指します。
DRAM Cache
DRAM キャッシュ固体ディスクに統合された揮発性メモリバッファは、動的ランダムアクセスメモリを使用して頻繁にアクセスされるデータを一時的に保存し、読み書き速度と全体的なパフォーマンスを向上させます。
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ハードディスク(HDD)
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P
Portable Storage Device (PSD)
ポータブルストレージデバイス小型で移動可能なデバイスで、デジタルデータを保存および転送するために使用され、通常はUSBまたはその他のインターフェースを介して接続されます。例えば、USBメモリ、外付けハードドライブ、メモリーカードなどがあります。
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N
NTFS/ExFAT/FAT32
新技術ファイルシステム/拡張ファイル割り当てテーブル/32ビットファイル割り当てテーブルNTFS(新技術ファイルシステム)、ExFAT(拡張ファイルシステム)および FAT32(32ビットファイルシステム)は、ストレージデバイス上でデータを整理および保存するためのファイルシステムです。
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C
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D
Disk Partition
ディスク分割ディスクのパーティションは、ハードディスクをいくつかの小さな容量のハードディスクに分割することに相当し、個別の独立したスペースを持ち、データ管理を便利にします。
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F
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USBメモリ
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U
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F
File System/File Format
ファイル管理システムストレージデバイス上でデータを組織し、保存する構造化された方法の一種です。ファイルの命名、保存、取得方法を定義し、効率的なデータ管理とアクセスを確保します。
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A
AES encryption
AES暗号化対称ブロック暗号アルゴリズムの一種で、安全なデータ暗号化に使用され、128、192、または256ビットの鍵を使用し、多数の置換と置換を通じて平文を暗号文に変換します。
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H
High-Endurance
高耐久性大量、長時間繰り返し書き込みに耐えるよう特別に設計されたメモリーカードやストレージデバイスの特性を指し、ストレージデバイスの使用寿命を大幅に延ばすことができます。
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メモリーカード
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V30/V60/V90 (Video Speed)
V30/V60/V90(ビデオスピードクラス)SDカードの動画速度クラスは、最低持続書き込み速度が30MB/s、60MB/s、90MB/sであることを示しており、より高いクラスはより高い要求の動画録画フォーマットをサポートしています。
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U
UHS-I/UHS-II
超高速-I/超高速-IIデータ転送速度を定義するSDカードインターフェース標準です。UHS-Iは最大104MB/sの速度をサポートし、UHS-IIは追加のピンを介して312MB/sに達することができます。
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S
SD/microSD
セキュアデジタルカード/マイクロセキュアデジタルカードカメラやスマートフォンなどのデバイスに使用される不揮発性メモリーカードフォーマット。これらはコンパクトな形状で大容量のストレージを提供します。
SD/SDHC/SDXC/SDUC
標準容量SDカード/高容量SDカード/超大容量SDカード/極大容量SDカードはメモリーカードの進化した標準であり、各種はより大きなストレージ容量とより良いパフォーマンスを提供します。
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A
A1/A2 (App Performance Class)
A1/A2(アプリ性能クラス)アプリケーションのパフォーマンス等級基準は、SDメモリーカードに使用され、最低の読み書き速度と毎秒の入出力操作数(IOPS)を示し、モバイルデバイス上でアプリケーションがスムーズに動作することを保証します。
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モバイルバッテリー
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W
Wattage
ワット数ワット数はエネルギー変換の速度であり、ワット単位で消費または出力される電力を測定します。これは電圧に電流を掛け算することで計算され、デバイスが1秒あたりに使用または生成するエネルギーを示します。
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Pass-through Charging
パススルー充電自分自身と接続されたデバイスの両方を同時に充電できる機能で、モバイルバッテリーのバッテリーを消耗することなく継続的に電力供給を実現する特性。
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Overcharge Protection
過充電保護モバイルバッテリーの安全機能の一つで、充電が完了したバッテリーに過剰な電流が流れ込むのを防ぎ、損傷、過熱、潜在的な火災の危険を避けることができます。
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Li-ion/Li-Polymer
リチウムイオン電池/リチウムポリマー電池リチウムイオン(Li-ion)およびリチウムポリマー(Li-Po)は、リチウム化合物を主要なエネルギー貯蔵および伝達コンポーネントとして使用する充電式バッテリー技術です。
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G
GaN
窒化ガリウムGaNは広帯域ギャップ半導体材料であり、電力電子分野で使用されます。従来のシリコンベースのデバイスと比較して、より高い効率、より速いスイッチング速度を提供し、より小さなデバイスサイズを実現します。
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B
Battery Capacity/Rated Capacity
実容量 / 定格容量バッテリー容量は、パワーバンクが保存できる総エネルギーであり、定格容量は変換損失を考慮した後の利用可能なエネルギーであり、通常は総容量の60-70%です。
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アクセサリー
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S
SBC / AAC
サブバンドコーデック/アドバンスドオーディオコーディングSBC(サブバンドコーデック)とAAC(アドバンスドオーディオコーディング)は、デジタルオーディオの圧縮と伝送に使用されるコーデックで、特にBluetoothデバイスで使用されます。SBCは標準設定であり、AACは低ビットレートでより高品質を提供します。
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